Монокристаллы сложных оксидов
Уникальное
высокотехнологическое оборудование НПП «Карат» позволяет разрабатывать
технологии получения новых монокристаллических материалов, начиная с подготовки
сырьевых материалов и заканчивая изготовлением рабочих элементов устройств из
монокристаллов и пленок, и налаживать в дальнейшем их промышленный выпуск.
Восемь
установок «Galaxie Mark III» участка монокристаллов сложных оксидов
обеспечивают возможность:
-
выращивания кристаллов сложных соединений с температурой плавления до 2000 С;
-
получения кристаллов диаметром
-
контроль массы растущего кристалла весовым методом;
-
проведение технологических процессов в разных газовых средах;
-
компьютерное управление процессом выращивания.
Специалистами
и учеными предприятия разработаны отечественные технологии получения ряда
монокристаллов больших размеров:
-
бездефектных кристаллов гадолиний-галлиевых гранатов диаметром до
- чистых
и легированных кристаллов ниобата и танталата лития диаметром до
-
сцинтилляционных кристаллов вольфраматов и молибдатов свинца, кальция и кадмия
для изготовления высокоэффективных твердотельных регистраторов
высокоэнергетических излучений в физике высоких энергий, медицинской
рентгеновской томографии, приборах контроля радиоактивного загрязнения воздуха,
воды и продуктов питания и др.;
-
кристаллов из группы алюминиевых гранатов и перовскитов, легированных
редкоземельными элементами, для твердотельных лазеров медицинского,
технологического и общетехнического применения;
-
кристаллов редкоземельных галатов в качестве подложек для получения
монокристаллических пленок высокотемпературных сверхпроводников и многие другие.
Выращенные
монокристаллы проходят прецизионную механическую обработку на
специализированном участке, расположенном в чистом помещении класса «10000».
Участок
укомплектован оборудованием фирмы «Logitech» (Великобритания), специально
предназначенным для обработки плоских поверхностей монокристаллических
оптических блоков и стержней, и позволяет достигать плоскостности в десятые
доли длины волны и отклонения от параллельности рабочих граней не более 5
угловых секунд.
Контроль
эксплуатационных параметров активных элементов оптоэлектронных устройств и
свойств материалов производится на лабораторных стендах по разработанным
методикам для контроля люминесцентных и абсорбционных свойств материалов,
генерационных свойств лазерных элементов, параметров лазерного пучка, искажения
волнового фронта световой волны при ее прохождении сквозь оптические элементы,
эксплуатационных параметров акусто-, электро-, нелинейно-оптических устройств и
др.
Контрольные лаборатории участка укомплектованы оборудованием фирм «Ekspla» (Литва), «Gentec» (Канада), «Rohde&Szwarz» (Германия), «Linkam» (Великобритания), «Stanford Research» (США), «Shimadzu» (Япония).
версия для печати