Развивая материаловедческое направление твердотельной электроники - магнитоэлектронику, НПО «Карат», опираясь на многолетний опыт, разработал ряд технологий получения эпитаксиальных структур на основе редкоземельных железных гранатов (РЗЖГ) методом жидкостно-фазной эпитаксии (ЖФЕ).

 

На предприятии разработаны:

- Эпитаксиальные пленки на основе железо-итриевого граната (ЖИГ) с предельно низкими электромагнитными потерями для СВЧ устройств, использующих явление распространения магнитостатических волн (МСВ) ;

- Монокристаллические пленки сложнозамещенных РЗЖГ для спинтроники, сенсорики и устройств хранения и обработки информации;

- Эпитаксиальные пленки висмут-замещенных редкоземельных ферогранатов для устройств приборной магнитооптики и оптоэлектроники (визуализаторов электромагнитных полей, оптических модуляторов, дефлекторов, управляемых транспарантов, циркуляционных насосов и т.п.).

Эпитаксиальные структуры сложнозамещенных ферогранатов и активные элементы магнитоэлектронных устройств на их основе	Датчики Холла на основе эпитаксиальных структур арсенида галлия

версия для печати