Полупроводниковые технологии

Технология полупроводников А₃В₅ и приборов на их основе

В НПП «Карат» для производства полупроводниковых материалов применяются следующие базовые технологии кристаллизации эпитаксиальных структур:

- жидко-фазная эпитаксия (низкотемпературный и высокотемпературный варианты);

- газофазная эпитаксия (хлоридный метод).

 

Основная продукция:

- эпитаксиальные структуры на основе GaAs для датчиков Холла;

- эпитаксиальные структуры на основе GaAs / AlGaAs для гетеролазеров и светодиодов, работающих в диапазоне 630-810 нм;

- эпитаксиальные структуры InP / InGaAsP для светодиодов, работающих в диапазоне 1000-1010 нм;

- эпитаксиальные структуры GaAs / AlGaAs / InGaP для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии;

- фотоэлектрические преобразователи на базе гетероструктур GaAs / AlGaAs, GaAs / AlGaAs / InGaP с к.п.д. 20-22% за АМ 1,5, в т.ч. для концентраторных солнечных батарей.

 

Продукция выпускается на установках жидко-фазной эпитаксии на базе модернизированных СДО 125 / 3, СДОМ, ЭВАРС (собственная разработка), ГФЭ «Микро» (собственная разработка).

 

Совместно с ЗАО НПК «Наука» проводятся работы по внедрению промышленной технологии МОС-гибридных технологий на базе установки Discovery 180LDM, после завершения которых будет организовано производство современных наноразмерных эпитаксиальных структур для сверхярких светодиодов, фотоэлектрических тандемных фотопреобразователей с к.п.д. 35-40%, лазерных структур и др.

 

Фотолитография

Лабораторией фотолитографии разработаны технологии изготовления структур размерами от 5мкм на основе Cr, Cu,латуни, SiO2, Au, Ni.

 

Учеными предприятия разработана технология получения встречно-штыревой структур, используемых для изготовления устройств акусто- и оптоэлектроники. Отработана технология фотолитографических процессов изготовления чипов на основе эпитаксиальных структур арсенида и фосфида галлия, подложек CdHgTe, используемых для разработки приборов СВЧ-электроники, фотоприемников, светодиодов и лазерных структур.

 

Фотолитографическая лаборатория находится в микроклиматическом модуле ММКИ-32(001) НПП «Карат» собственного производства.

 

Оборудование лаборатории позволяет проводить контактную фотолитографию на подложках размером от 10х10 до 240х240мм и толщиной от 1 до 20 мм.

 

Узкозонные полупроводники 

Лаборатория электрофизических и оптических исследований узкозонных полупроводников А²В⁶ оснащена:

- автоматизированным комплексом для измерений электрофизических параметров полупроводников с собственным разработанным программным обеспечением для определения параметров методом дискретных спектров подвижности;

- автоматизированным комплексом исследований оптических и фотоэлектрических параметров полупроводников (фотолюминесценция, фотопроводимость, пропускания и отражения) в спектральном диапазоне 0,2-15 мкм и диапазоне температур 77-300 К;

- линией фотолитографии в чистой комнате класса «100»;

- установками ионного травления.

 

Специалистами лаборатории проведены комплексные исследования влияния ионного травления на свойства твердых растворов Cd_xHg_1-xTe, в результате которых были выявлены и сформулированы основные закономерности модификации свойств материала в процессе ионного травления. Это позволило обосновать физические основы использования ионного травления в качестве метода формирования p-n переходов фотодиодов инфракрасного диапазона спектра на базе Cd_xHg_1-xTe.

 

Проводится разработка технологии изготовления фотодиодов инфракрасного диапазона спектра на базе Cd_xHg_1-xTe.

 

Стекловидные полупроводники и их сплавы

НПП «Карат» производит исследования халькогенидных стекол (ХС), как перспективного материала для применения в современной оптоэлектронике, фотонике, телекоммуникациях, акустооптике, ксерографии, литографии и т.д.

 

Благодаря высокой прозрачности оптоволокна на основе ХС в ИК-диапазоне спектра (перекрываются диапазоны обоих телекоммуникационных окон -3...5 и 8...12 мкм), стекловидные полупроводники могут использоваться в гражданской, медицинской и военной сферах как химические сенсоры, устройства для записи информации, ИК-оптоволокна, оптические переключатели и др.

 

Высокая чувствительность халькогенидных стекол к внешним воздействиям, таких как свет, ионизирующее излучение или термическая обработка, показывают практические преимущества ХС по сравнению с другими кристаллическими и стекловидными материалами при их использовании в указанных областях.

версия для печати