Технология
полупроводников А3В5 и приборов на их основе
В НПП
«Карат» для производства полупроводниковых материалов применяются следующие
базовые технологии кристаллизации эпитаксиальных структур:
-
жидко-фазная эпитаксия (низкотемпературный и высокотемпературный варианты);
-
газофазная эпитаксия (хлоридный метод).
Основная
продукция:
-
эпитаксиальные структуры на основе GaAs для датчиков Холла;
-
эпитаксиальные структуры на основе GaAs / AlGaAs для гетеролазеров и
светодиодов, работающих в диапазоне 630-810 нм;
-
эпитаксиальные структуры InP / InGaAsP для светодиодов, работающих в диапазоне
1000-1010 нм;
-
эпитаксиальные структуры GaAs / AlGaAs / InGaP для фотоэлектрических
преобразователей солнечной энергии;
-
фотоэлектрические преобразователи на базе гетероструктур GaAs / AlGaAs, GaAs /
AlGaAs / InGaP с к.п.д. 20-22% за АМ 1,5, в т.ч. для концентраторных солнечных
батарей.
Продукция
выпускается на установках жидко-фазной эпитаксии на базе модернизированных СДО
125 / 3, СДОМ, ЭВАРС (собственная разработка), ГФЭ «Микро» (собственная
разработка).
Совместно
с ЗАО НПК «Наука» проводятся работы по внедрению промышленной технологии
МОС-гибридных технологий на базе установки Discovery 180LDM, после завершения
которых будет организовано производство современных наноразмерных
эпитаксиальных структур для сверхярких светодиодов, фотоэлектрических тандемных
фотопреобразователей с к.п.д. 35-40%, лазерных структур и др.
Фотолитография
Лабораторией
фотолитографии разработаны технологии изготовления структур размерами от 5мкм
на основе Cr, Cu,латуни, SiO2, Au, Ni.
Учеными
предприятия разработана технология получения встречно-штыревой структур,
используемых для изготовления устройств акусто- и оптоэлектроники. Отработана
технология фотолитографических процессов изготовления чипов на основе
эпитаксиальных структур арсенида и фосфида галлия, подложек CdHgTe,
используемых для разработки приборов СВЧ-электроники, фотоприемников,
светодиодов и лазерных структур.
Фотолитографическая
лаборатория находится в микроклиматическом модуле ММКИ-32(001) НПП «Карат»
собственного производства.
Оборудование
лаборатории позволяет проводить контактную фотолитографию на подложках размером
от 10х10 до 240х240мм и толщиной от 1 до
Узкозонные полупроводники
Лаборатория
электрофизических и оптических исследований узкозонных полупроводников А2В6 оснащена:
-
автоматизированным комплексом для измерений электрофизических параметров
полупроводников с собственным разработанным программным обеспечением для
определения параметров методом дискретных спектров подвижности;
-
автоматизированным комплексом исследований оптических и фотоэлектрических
параметров полупроводников (фотолюминесценция, фотопроводимость, пропускания и
отражения) в спектральном диапазоне 0,2-15 мкм и диапазоне температур 77-300 К;
- линией
фотолитографии в чистой комнате класса «100»;
- установками
ионного травления.
Специалистами
лаборатории проведены комплексные исследования влияния ионного травления на
свойства твердых растворов CdxHg1-xTe, в результате которых были выявлены и
сформулированы основные закономерности модификации свойств материала в процессе
ионного травления. Это позволило обосновать физические основы использования
ионного травления в качестве метода формирования p-n переходов фотодиодов
инфракрасного диапазона спектра на базе CdxHg1-xTe.
Проводится
разработка технологии изготовления фотодиодов инфракрасного диапазона спектра
на базе CdxHg1-xTe.
Стекловидные
полупроводники и их сплавы
НПП
«Карат» производит исследования халькогенидных стекол (ХС), как перспективного
материала для применения в современной оптоэлектронике, фотонике,
телекоммуникациях, акустооптике, ксерографии, литографии и т.д.
Благодаря
высокой прозрачности оптоволокна на основе ХС в ИК-диапазоне спектра
(перекрываются диапазоны обоих телекоммуникационных окон -3...5 и 8...12 мкм),
стекловидные полупроводники могут использоваться в гражданской, медицинской и
военной сферах как химические сенсоры, устройства для записи информации,
ИК-оптоволокна, оптические переключатели и др.
Высокая чувствительность халькогенидных стекол к внешним воздействиям, таких как свет, ионизирующее излучение или термическая обработка, показывают практические преимущества ХС по сравнению с другими кристаллическими и стекловидными материалами при их использовании в указанных областях.