В НПП «Карат» разработана технология кристаллизации гетероструктур InP – InGaAsP для светоизлучающих диодов

29.03.2013

В результате научно-исследовательских работ в НПП «Карат» разработана технология кристаллизации гетероструктур InP - InGaAsP, предназначенных для светодиодов ближнего инфракрасного диапазона с длиной волны генерации 1,06 мкм.

Диоды, излучающие в инфракрасной области спектра, применяются в радиоэлектронной аппаратуре различного назначения – медицинской и военной технике, в системах мониторинга окружающей среды, охранных системах и в другой аппаратуре.

Важными характеристиками для этих приборов является быстродействие и мощность излучения, способность инфракрасных диодов работать в широком диапазоне рабочих температур – от -60 до +70 °С.

Изготовление и испытание опытной партии инфракрасных светодиодов осуществляется в СКБ «Ритм» (г. Черновцы).

версия для печати