Комплексный лабораторно-производственный модуль для выращивания тонких слоев оксидов методом жидко-фазной эпитаксии по уровню технологической оснащенности не имеет аналогов в Европе.

Комплекс позволяет выполнять разработки технологий получения монокристаллических пленок или эпитаксиальных структур соединений сложных оксидов на современном мировом уровне.

Специалистами лаборатории жидко-фазной эпитаксии разрабатываются технологии, позволяющие получать новые высокотехнологичные продукты – эпитаксиальные структуры диаметром до 3-х дюймов (76,2 мм) сложнозамещенных редкоземельных гранатов для различных целей в современной электронике.

Высокое качество конечных продуктов обеспечивается выполнением всех технологических операций по подготовке процессов выращивания и финишной очистки структур в «чистой комнате» класса «100», где постоянно поддерживаются очень высокие параметры технологического микроклимата.

Среди многочисленных разработок – новые материалы магнито- и квантовой электроники:

- широкая номенклатура эпитаксиальных структур на основе железо-итриевого граната для нового поколения планарных интегральных сверхвысокочастотных устройств спин-волновой электроники;

- структур на основе редкоземельных железных гранатов с гигантским значением магнитооптического эффекта Фарадея для визуализации электромагнитных полей, устройств управления оптическими лучами и других задач прикладной магнитооптики;

- гранатовые структуры с контролируемыми магнитными параметрами для сверхчувствительных сенсоров малых постоянных и переменных магнитных полей;

- пленочные структуры на основе редкоземельных алюминиевых и галлиевых гранатов, предназначенных для использования в качестве активных сред сверхминиатюрных микрочиповых лазеров, сверхмощных технологических дисковых лазеров и пассивных устройств модуляции добротности резонаторов лазеров.